局放的危害程度由局放产物的高能/高温能力决定，绝缘材料受局部放电活动的影响产生永久性变化，而且介电强度降低。危害程度水平与材料有很大关系。
局部放电时，电子的能量或温度(不要误认为是气体分子周围或等离子区的温度)可能达到10-20eV(电离能量)。与化学键的类型有关，能量超过5eV时聚合物的化学键可被破坏，高能电子与固体绝缘材料相互作用可能引起固体/液体周围大分子化学键的破坏。这种变化可能是由于受放电影响，固体绝缘材料壁简单剥落或者腐蚀，也可能是固体绝缘的化学结构和性质发生了变化(例如碳化)。因为这些影响是永久性的，而且放电点是封闭的，所以这种损害的整体效应最后可能导致绝缘的毁灭性故障。
绝缘老化过程中局部放电的整体效应有时可能是局放量和重复率增大，也可能是有关放电参数例如相位产生实质性变化。如果具有一些可用的关于类似结构和材料中放电影响的恰当知识，放电的这些性质变化就可用来建立评定绝缘状态的方法。
局放是非常有害的，局放中的高电子能和来自裂解分子的侵袭性化学副产物，都可能引起绝缘永久性损坏。在固体中出现局部腐蚀和通道成长(即可能产生电树枝)。在浸渍绝缘系统中形成酸和溶解气体，固体可能随时间消耗殆尽。然而，一些气体绝缘系统中，值得注意的是空气，电离和局放(电晕)相结合，在一般情况下没有任何长期性影响，因为气体随时间而进行交换，空气绝缘可认为是自恢复的。在SF6情况下，情况不是如此简单，SF6气体可能有永久性质变，特别是有水分等杂质存在时更是如此，这时可形成氟酸。如如果放电发生在绝缘子界面，也可发生永久性危害。
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